TDM3307A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TDM3307A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: PPAK3X3-8
Búsqueda de reemplazo de TDM3307A MOSFET
TDM3307A Datasheet (PDF)
tdm3307a.pdf

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3307ADESCRIPTIONTheTDM3307AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 30V/24A RDS(ON)
Otros transistores... SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , IRFZ46N , TDM3404 , TDM3405 , TDM3406 , TDM3407 , TDM3408 , TDM3412 , TDM3415 , TDM3420 .
History: FTK12N65F | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | CHM4435AZGP
History: FTK12N65F | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | CHM4435AZGP



Liste
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