TDM3307A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3307A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PPAK3X3-8

Аналог (замена) для TDM3307A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3307A даташит

 ..1. Size:689K  techcode semi
 tdm3307a.pdf pdf_icon

TDM3307A

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3307A DESCRIPTION The TDM3307A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 30V/ 24A RDS(ON)

Другие IGBT... SPE4N65G, SPE7N65G, TDM31035, TDM31050, TDM31056, TDM31058, TDM31064, TDM31066, SI2302, TDM3404, TDM3405, TDM3406, TDM3407, TDM3408, TDM3412, TDM3415, TDM3420