Справочник MOSFET. TDM3307A

 

TDM3307A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TDM3307A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PPAK3X3-8
 

 Аналог (замена) для TDM3307A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3307A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  techcode semi
 tdm3307a.pdf pdf_icon

TDM3307A

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3307ADESCRIPTIONTheTDM3307AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 30V/24A RDS(ON)

Другие MOSFET... SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 , IRFZ46N , TDM3404 , TDM3405 , TDM3406 , TDM3407 , TDM3408 , TDM3412 , TDM3415 , TDM3420 .

History: IPD60R1K5CE | SM6019NSF | JCS7N60FB | NCE0224F | CEF02N9 | HM4468T | FL014N

 

 
Back to Top

 


 
.