TDM3406 Todos los transistores

 

TDM3406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3406
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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TDM3406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  techcode semi
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TDM3406

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3406DESCRIPTIONTheTDM3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.1. Size:633K  techcode semi
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TDM3406

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407DESCRIPTIONTheTDM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40VPMOS RDS(ON)

 8.2. Size:372K  techcode semi
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TDM3406

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3404DESCRIPTIONTheTDM3404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3406

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408DESCRIPTIONTheTDM3408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: S-LNTK3043PT5G | 10N60G-TF2-T | 2301H | APT30M17JFLL | IRFSL4615 | BSS315P | APT30M30LLLG

 

 
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