TDM3406 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TDM3406 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TDM3406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TDM3406 datasheet

..1. Size:622K techcode semi
tdm3406.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3406 DESCRIPTION The TDM3406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.1. Size:633K techcode semi
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DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)

8.2. Size:372K techcode semi
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8.3. Size:692K techcode semi
tdm3408.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408 DESCRIPTION The TDM3408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

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