TDM3406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TDM3406
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3406
TDM3406 Datasheet (PDF)
tdm3406.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3406DESCRIPTIONTheTDM3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3407.pdf
DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407DESCRIPTIONTheTDM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40VPMOS RDS(ON)
tdm3404.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3404DESCRIPTIONTheTDM3404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3408.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408DESCRIPTIONTheTDM3408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3405.pdf
DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3405DESCRIPTIONTheTDM3405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40V/55A RDS(ON)
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Liste
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