TDM3406 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TDM3406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
Тип корпуса: SOP8
TDM3406 Datasheet (PDF)
tdm3406.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3406DESCRIPTIONTheTDM3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3407.pdf
DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407DESCRIPTIONTheTDM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40VPMOS RDS(ON)
tdm3404.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3404DESCRIPTIONTheTDM3404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3408.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408DESCRIPTIONTheTDM3408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3405.pdf
DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3405DESCRIPTIONTheTDM3405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40V/55A RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HGB105N15S | IXTA16N50P | IXTA200N075T7 | MEM2310M3
History: HGB105N15S | IXTA16N50P | IXTA200N075T7 | MEM2310M3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918