TDM3406. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3406

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TDM3406

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3406 даташит

 ..1. Size:622K  techcode semi
 tdm3406.pdf pdf_icon

TDM3406

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3406 DESCRIPTION The TDM3406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 8.1. Size:633K  techcode semi
 tdm3407.pdf pdf_icon

TDM3406

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)

 8.2. Size:372K  techcode semi
 tdm3404.pdf pdf_icon

TDM3406

 8.3. Size:692K  techcode semi
 tdm3408.pdf pdf_icon

TDM3406

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408 DESCRIPTION The TDM3408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM31050, TDM31056, TDM31058, TDM31064, TDM31066, TDM3307A, TDM3404, TDM3405, 20N50, TDM3407, TDM3408, TDM3412, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, TDM3426B