TDM3407 Todos los transistores

 

TDM3407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TDM3407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  techcode semi
 tdm3407.pdf pdf_icon

TDM3407

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407DESCRIPTIONTheTDM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40VPMOS RDS(ON)

 8.1. Size:372K  techcode semi
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TDM3407

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3404DESCRIPTIONTheTDM3404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.2. Size:692K  techcode semi
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TDM3407

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408DESCRIPTIONTheTDM3408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.3. Size:617K  techcode semi
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TDM3407

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3405DESCRIPTIONTheTDM3405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 40V/55A RDS(ON)

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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