TDM3407. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TDM3407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3407 даташит

 ..1. Size:633K  techcode semi
 tdm3407.pdf pdf_icon

TDM3407

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)

 8.1. Size:372K  techcode semi
 tdm3404.pdf pdf_icon

TDM3407

 8.2. Size:692K  techcode semi
 tdm3408.pdf pdf_icon

TDM3407

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3408 DESCRIPTION The TDM3408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 8.3. Size:617K  techcode semi
 tdm3405.pdf pdf_icon

TDM3407

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM31056, TDM31058, TDM31064, TDM31066, TDM3307A, TDM3404, TDM3405, TDM3406, IRF520, TDM3408, TDM3412, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, TDM3426B, TDM3428B