TDM3412 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TDM3412

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm

Encapsulados: DFN3X3E-8

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TDM3412 datasheet

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TDM3412

DATASHEET Techcode Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3412 DESCRIPTION The TDM3412 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES Channel 1 RDS(ON)

 8.1. Size:558K  techcode semi
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TDM3412

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TDM3412

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 9.2. Size:633K  techcode semi
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TDM3412

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)

Otros transistores... TDM31064, TDM31066, TDM3307A, TDM3404, TDM3405, TDM3406, TDM3407, TDM3408, STF13NM60N, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, TDM3426B, TDM3428B, TDM3430, TDM3432