TDM3412. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3412

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3E-8

Аналог (замена) для TDM3412

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3412 даташит

 ..1. Size:865K  techcode semi
tdm3412.pdfpdf_icon

TDM3412

DATASHEET Techcode Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3412 DESCRIPTION The TDM3412 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES Channel 1 RDS(ON)

 8.1. Size:558K  techcode semi
tdm3415.pdfpdf_icon

TDM3412

 9.1. Size:374K  techcode semi
tdm3428b.pdfpdf_icon

TDM3412

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 9.2. Size:633K  techcode semi
tdm3407.pdfpdf_icon

TDM3412

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)

Другие IGBT... TDM31064, TDM31066, TDM3307A, TDM3404, TDM3405, TDM3406, TDM3407, TDM3408, STF13NM60N, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, TDM3426B, TDM3428B, TDM3430, TDM3432