TDM3426B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TDM3426B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3426B

TDM3426B Datasheet (PDF)

..1. Size:353K techcode semi
tdm3426b.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3426BDESCRIPTIONTheTDM3426BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.1. Size:374K techcode semi
tdm3428b.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428BDESCRIPTIONTheTDM3428BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.2. Size:266K techcode semi
tdm3424.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424DESCRIPTIONTheTDM3424usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.3. Size:567K techcode semi
tdm3421.pdf

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3421DESCRIPTIONTheTDM3421usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.4. Size:323K techcode semi
tdm3420.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3420DESCRIPTIONTheTDM3420usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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