TDM3426B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TDM3426B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOT89

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TDM3426B datasheet

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TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3426B DESCRIPTION The TDM3426B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

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TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

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TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424 DESCRIPTION The TDM3424 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

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TDM3426B

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