TDM3426B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3426B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для TDM3426B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3426B даташит

 ..1. Size:353K  techcode semi
 tdm3426b.pdf pdf_icon

TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3426B DESCRIPTION The TDM3426B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 8.1. Size:374K  techcode semi
 tdm3428b.pdf pdf_icon

TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 8.2. Size:266K  techcode semi
 tdm3424.pdf pdf_icon

TDM3426B

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424 DESCRIPTION The TDM3424 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 8.3. Size:567K  techcode semi
 tdm3421.pdf pdf_icon

TDM3426B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM3406, TDM3407, TDM3408, TDM3412, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, 75N75, TDM3428B, TDM3430, TDM3432, TDM3434, TDM3436, TDM3444, TDM3452, TDM3458