TDM3510 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TDM3510
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3510

TDM3510 Datasheet (PDF)

..1. Size:217K techcode semi
tdm3510.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3510DESCRIPTIONTheTDM3510usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.1. Size:373K techcode semi
tdm3512.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3512DESCRIPTIONTheTDM3512usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

9.1. Size:604K techcode semi
tdm3532.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3532DESCRIPTIONTheTDM3532usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

9.2. Size:768K techcode semi
tdm3548.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3548DESCRIPTIONTheTDM3548usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

9.3. Size:642K techcode semi
tdm3534.pdf

DATASHEETTechcodeDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3534DESCRIPTIONTheTDM3534usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

9.4. Size:218K techcode semi
tdm3508.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3508DESCRIPTIONTheTDM3508usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

9.5. Size:383K techcode semi
tdm3536.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3536DESCRIPTIONTheTDM3536usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: