TDM3510 Todos los transistores

 

TDM3510 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3510
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TDM3510 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  techcode semi
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TDM3510

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3510DESCRIPTIONTheTDM3510usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3510

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3512DESCRIPTIONTheTDM3512usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3510

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3532DESCRIPTIONTheTDM3532usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3510

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3548DESCRIPTIONTheTDM3548usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: P0910ATG | VN10K-TO18 | 60N06G-TF3-T | STN1NK60Z | NVMFS4C01N | 2SK2320 | IPB65R125C7

 

 
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