TDM3510 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TDM3510
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.1 nC
Время нарастания (tr): 6.6 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0102 Ohm
Тип корпуса: TO252
TDM3510 Datasheet (PDF)
tdm3510.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3510DESCRIPTIONTheTDM3510usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3512.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3512DESCRIPTIONTheTDM3512usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3532.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3532DESCRIPTIONTheTDM3532usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3548.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3548DESCRIPTIONTheTDM3548usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3534.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3534DESCRIPTIONTheTDM3534usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3508.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3508DESCRIPTIONTheTDM3508usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3536.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3536DESCRIPTIONTheTDM3536usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .