TDM3736 Todos los transistores

 

TDM3736 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3736
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1066 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6?8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TDM3736 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  techcode semi
 tdm3736.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3736DESCRIPTIONTheTDM3736usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/112ARDS(ON)

 9.1. Size:469K  techcode semi
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TDM3736

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3742DESCRIPTIONTheTDM3742usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)

 9.2. Size:461K  techcode semi
 tdm3744.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744DESCRIPTIONTheTDM3744usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)

 9.3. Size:493K  techcode semi
 tdm3726.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3726DESCRIPTIONTheTDM3726usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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