TDM3736. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3736

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1066 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6-8

Аналог (замена) для TDM3736

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3736 даташит

 ..1. Size:466K  techcode semi
 tdm3736.pdf pdf_icon

TDM3736

 9.1. Size:469K  techcode semi
 tdm3742.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3742 DESCRIPTION The TDM3742 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 80V/196A RDS(ON)

 9.2. Size:461K  techcode semi
 tdm3744.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744 DESCRIPTION The TDM3744 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 80V/196A RDS(ON)

 9.3. Size:493K  techcode semi
 tdm3726.pdf pdf_icon

TDM3736

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3726 DESCRIPTION The TDM3726 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM3508, TDM3510, TDM3512, TDM3532, TDM3534, TDM3536, TDM3548, TDM3726, AO4468, TDM3742, TDM3744, TF2300, TF2301, TF2302, TF2305B, TF2306, TF2310