TW1504ESG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW1504ESG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.67 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.332 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TW1504ESG
TW1504ESG Datasheet (PDF)
tw1504esg.pdf
TW1504ESG N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 20V, Load / power switching for portable devices ID = 0.67A Battery operated systems RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 255m Power supply converter circuits RDS(ON) @VGS= 2.5V, TYP 348m RDS(ON) @VGS= 1.8V, TYP 542m Pin Configurations SOT523 Absolute Maximum Rati
stb150nf55t4 stw150nf55.pdf
STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf
STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V
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History: ITF87052SVT
History: ITF87052SVT
Liste
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