TW1504ESG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TW1504ESG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.85 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.67 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.332 Ohm
Тип корпуса: SOT523
TW1504ESG Datasheet (PDF)
tw1504esg.pdf
TW1504ESG N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 20V, Load / power switching for portable devices ID = 0.67A Battery operated systems RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 255m Power supply converter circuits RDS(ON) @VGS= 2.5V, TYP 348m RDS(ON) @VGS= 1.8V, TYP 542m Pin Configurations SOT523 Absolute Maximum Rati
stb150nf55t4 stw150nf55.pdf
STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf
STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918