TW3134KDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW3134KDW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
- Selección de transistores por parámetros
TW3134KDW Datasheet (PDF)
tw3134kdw.pdf

TW3134KDW SOT363-6LSOT363 Unit:mm Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating High Density Cell Design For Low RDS(ON) Equivalent Circuit Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged And Reliable ESD Protected Device Marking CodeCJ3134KDW 34KMaximum Ratings Ta = 25 Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source-Volt
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRC740PBF | TK58A06N1 | DMN4010LFG | SVF4N60CAT | 2SK3575-S | 2SJ410 | BF1211R
History: IRC740PBF | TK58A06N1 | DMN4010LFG | SVF4N60CAT | 2SK3575-S | 2SJ410 | BF1211R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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