TW3134KDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TW3134KDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для TW3134KDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TW3134KDW даташит

 ..1. Size:1669K  cn twgmc
 tw3134kdw.pdf pdf_icon

TW3134KDW

TW3134KDW SOT363-6L SOT363 Unit mm Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating High Density Cell Design For Low RDS(ON) Equivalent Circuit Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged And Reliable ESD Protected Device Marking Code CJ3134KDW 34K Maximum Ratings Ta = 25 Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source-Volt

Другие IGBT... TW0115SR-Y, TW1504ESG, TW1515ASI, TW1525SI, TW1527SI, TW1529SJ, TW1754SI-X, TW2203FL-Y, 2N7000, TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, TWS6428FJ