TW3134KDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TW3134KDW
Маркировка: 34K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для TW3134KDW
TW3134KDW Datasheet (PDF)
tw3134kdw.pdf

TW3134KDW SOT363-6LSOT363 Unit:mm Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating High Density Cell Design For Low RDS(ON) Equivalent Circuit Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged And Reliable ESD Protected Device Marking CodeCJ3134KDW 34KMaximum Ratings Ta = 25 Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source-Volt
Другие MOSFET... TW0115SR-Y , TW1504ESG , TW1515ASI , TW1525SI , TW1527SI , TW1529SJ , TW1754SI-X , TW2203FL-Y , IRF9540 , TW4614SQ-X , TW7404FJ , TW7407FL-Y , TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , TWS1008SQ , TWS6428FJ .
History: INJ0312AP1 | JCS4N80F | KP505B | 10N60L-TQ2-R | ZXMN3A06DN8 | WM03N115A
History: INJ0312AP1 | JCS4N80F | KP505B | 10N60L-TQ2-R | ZXMN3A06DN8 | WM03N115A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06