TWS1008SQ Todos los transistores

TWS1008SQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TWS1008SQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 832 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: SOP8

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros