TWS1008SQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TWS1008SQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 832 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de TWS1008SQ MOSFET
TWS1008SQ Datasheet (PDF)
tws1008sq.pdf

TWS1008SQN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ra
Otros transistores... TW2203FL-Y , TW3134KDW , TW4614SQ-X , TW7404FJ , TW7407FL-Y , TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , 2N7000 , TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF .
History: P1520ED | AON4413 | MXP6006DT | RQJ0602EGDQA | RQ1E100XN
History: P1520ED | AON4413 | MXP6006DT | RQJ0602EGDQA | RQ1E100XN



Liste
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MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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