TWS1008SQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TWS1008SQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 33 nC
Tiempo de elevación (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 832 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0125 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP8
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TWS1008SQ Datasheet (PDF)
..1. tws1008sq.pdf 
Size:1220K _cn_twgmc
TWS1008SQN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ra
Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .
Liste
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