TWS1008SQ Todos los transistores

 

TWS1008SQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TWS1008SQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 10.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 33 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 832 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0125 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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TWS1008SQ Datasheet (PDF)

..1. tws1008sq.pdf Size:1220K _cn_twgmc

TWS1008SQ
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TWS1008SQN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ra

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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