TWS1008SQ - аналоги и даташиты транзистора

 

TWS1008SQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TWS1008SQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 832 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TWS1008SQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TWS1008SQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1220K  cn twgmc
 tws1008sq.pdf pdf_icon

TWS1008SQ

TWS1008SQN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ra

Другие MOSFET... TW2203FL-Y , TW3134KDW , TW4614SQ-X , TW7404FJ , TW7407FL-Y , TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , 2N7000 , TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF .

 

 
Back to Top

 


 
.