TWS1008SQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TWS1008SQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 832 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TWS1008SQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TWS1008SQ даташит

 ..1. Size:1220K  cn twgmc
 tws1008sq.pdf pdf_icon

TWS1008SQ

TWS1008SQ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ra

Другие IGBT... TW2203FL-Y, TW3134KDW, TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, AON7408, TWS6428FJ, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, SL10N65F, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF