Справочник MOSFET. TWS1008SQ

 

TWS1008SQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TWS1008SQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 832 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для TWS1008SQ

 

 

TWS1008SQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1220K  cn twgmc
 tws1008sq.pdf

TWS1008SQ TWS1008SQ

TWS1008SQN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 100V, load switch ID = 10.5A Power Management RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 9.7m DC-DC Converter RDS(ON) @VGS= 6V, TYP 11 m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 13.5m Pin Configurations SOP8 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ra

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF4905 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top