TWS6602FJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TWS6602FJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 58 nC

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1520 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFN5X6-8L

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TWS6602FJ Datasheet (PDF)

..1. tws6602fj.pdf Size:1119K _cn_twgmc

TWS6602FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Dra

8.1. tws6604fl.pdf Size:982K _cn_twgmc

TWS6604FLN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo

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