TWS6602FJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TWS6602FJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de TWS6602FJ MOSFET
TWS6602FJ Datasheet (PDF)
tws6602fj.pdf
TWS6602FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Dra
tws6604fl.pdf
TWS6604FLN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo
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History: TK80A08K3
History: TK80A08K3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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