Справочник MOSFET. TWS6602FJ

 

TWS6602FJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TWS6602FJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TWS6602FJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1119K  cn twgmc
 tws6602fj.pdf pdf_icon

TWS6602FJ

TWS6602FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Dra

 8.1. Size:982K  cn twgmc
 tws6604fl.pdf pdf_icon

TWS6602FJ

TWS6604FLN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo

Другие MOSFET... TW4614SQ-X , TW7404FJ , TW7407FL-Y , TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , TWS1008SQ , TWS6428FJ , 12N60 , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , SL11P06D , SL130N04Q .

 

 
Back to Top

 


 
.