TWS6602FJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TWS6602FJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для TWS6602FJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TWS6602FJ даташит

 ..1. Size:1119K  cn twgmc
 tws6602fj.pdf pdf_icon

TWS6602FJ

TWS6602FJ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ratings Unit Dra

 8.1. Size:982K  cn twgmc
 tws6604fl.pdf pdf_icon

TWS6602FJ

TWS6604FL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo

Другие IGBT... TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, TWS6428FJ, STP75NF75, TWS6604FL, SL100N08, SL10N65F, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, SL11P06D, SL130N04Q