TWS6602FJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TWS6602FJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для TWS6602FJ
TWS6602FJ Datasheet (PDF)
tws6602fj.pdf

TWS6602FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Dra
tws6604fl.pdf

TWS6604FLN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo
Другие MOSFET... TW4614SQ-X , TW7404FJ , TW7407FL-Y , TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , TWS1008SQ , TWS6428FJ , SKD502T , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , SL11P06D , SL130N04Q .
History: AM7410N
History: AM7410N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet