SL10N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL10N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 43 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 122 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.94 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL10N65F
SL10N65F Datasheet (PDF)
sl10n65f.pdf
SL10N65FN-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS10AID650VVDSS0.94R V =10VDS(ON) GS35nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate
sl10n10a.pdf
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