SL10N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL10N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SL10N65F datasheet

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SL10N65F

SL10N65F N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 10A I D 650V V DSS 0.94 R V =10V DS(ON) GS 35nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate

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SL10N65F

SL10N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D 100 V VDS 95 m RDS(ON)@10V,MAX D2 S1 10 A ID D1 S D G FEATURES SOT-223 Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Unit Common Ra

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SL10N65F

SL10N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 10A D R ( at V =10V) DS(ON) GS 35 mohm R ( at V =4.5V) 45 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications DC-DC Converters Power m

Otros transistores... TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, TWS6428FJ, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, IRF4905, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, SL11P06D, SL130N04Q, SL13N45F, SL13N50FS, SL150N03Q