SL10N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

SL10N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SL10N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.94 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SL10N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL10N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1595K  slkor
 sl10n65f.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N65FN-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS10AID650VVDSS0.94R V =10VDS(ON) GS35nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate

 9.1. Size:904K  slkor
 sl10n10a.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct SummaryD100 VVDS95 mRDS(ON)@10V,MAXD2S110 AIDD1SDGFEATURESSOT-223 Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)Symbol Parameter Rating UnitCommon Ra

 9.2. Size:1762K  slkor
 sl10n06a.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N06AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 60V DS I 10AD R ( at V =10V)DS(ON) GS 35 mohm R ( at V =4.5V) 45 mohmDS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Power m

Другие MOSFET... TW7408FN , TW7468FL , TWE3139K , TWS1008SQ , TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , 2N7000 , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , SL11P06D , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , SL150N03Q .

 

 
Back to Top

 


 
.