SL10N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL10N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.94 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SL10N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL10N65F даташит

 ..1. Size:1595K  slkor
 sl10n65f.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N65F N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 10A I D 650V V DSS 0.94 R V =10V DS(ON) GS 35nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate

 9.1. Size:904K  slkor
 sl10n10a.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D 100 V VDS 95 m RDS(ON)@10V,MAX D2 S1 10 A ID D1 S D G FEATURES SOT-223 Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON) Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Unit Common Ra

 9.2. Size:1762K  slkor
 sl10n06a.pdf pdf_icon

SL10N65F

SL10N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 10A D R ( at V =10V) DS(ON) GS 35 mohm R ( at V =4.5V) 45 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications DC-DC Converters Power m

Другие IGBT... TW7408FN, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, TWS6428FJ, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, IRF4905, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, SL11P06D, SL130N04Q, SL13N45F, SL13N50FS, SL150N03Q