SL11P06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL11P06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SL11P06D MOSFET
SL11P06D Datasheet (PDF)
sl11p06d.pdf

SL11P06DP-Channel Power MOSFET General Features VDS =-60V,ID =-11ARDS(ON)
Otros transistores... TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , 8205A , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , SL150N03Q , SL17N06D , SL17N06DN1 , SL19N120A , SL21N65CK .
History: STF3NK100Z | CEF840L | HMS11N70 | AP9987GH | HM2301F | HSS3414A | HM2306
History: STF3NK100Z | CEF840L | HMS11N70 | AP9987GH | HM2301F | HSS3414A | HM2306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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