Справочник MOSFET. SL11P06D

 

SL11P06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL11P06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL11P06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL11P06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  slkor
sl11p06d.pdfpdf_icon

SL11P06D

SL11P06DP-Channel Power MOSFET General Features VDS =-60V,ID =-11ARDS(ON)

Другие MOSFET... TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , 8205A , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , SL150N03Q , SL17N06D , SL17N06DN1 , SL19N120A , SL21N65CK .

History: DACMH120N1200 | CS6N60FA9TY | HAT2088R | SWP9N50D | IRFU2405 | BL8N60-A | QM3010U

 

 
Back to Top

 


 
.