SL11P06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL11P06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL11P06D
SL11P06D Datasheet (PDF)
sl11p06d.pdf

SL11P06DP-Channel Power MOSFET General Features VDS =-60V,ID =-11ARDS(ON)
Другие MOSFET... TWS6428FJ , TWS6602FJ , TWS6604FL , SL100N08 , SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , 8205A , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , SL150N03Q , SL17N06D , SL17N06DN1 , SL19N120A , SL21N65CK .
History: SVGQ041R7NL5V-2HSTR | UJN1208K | IXFT30N60X | APM2321AAC | HLML6401 | KNF6180A | SL17N06D
History: SVGQ041R7NL5V-2HSTR | UJN1208K | IXFT30N60X | APM2321AAC | HLML6401 | KNF6180A | SL17N06D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123