SL11P06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL11P06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SL11P06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL11P06D даташит

 ..1. Size:591K  slkor
 sl11p06d.pdf pdf_icon

SL11P06D

SL11P06D P-Channel Power MOSFET General Features VDS =-60V,ID =-11A RDS(ON)

Другие IGBT... TWS6428FJ, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, SL10N65F, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, IRFP260, SL130N04Q, SL13N45F, SL13N50FS, SL150N03Q, SL17N06D, SL17N06DN1, SL19N120A, SL21N65CK