SL150N03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL150N03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL150N03Q

SL150N03Q Datasheet (PDF)

..1. Size:1148K slkor
sl150n03q.pdf

SL150N03QN-Channel Power MOSFET General Features VDS =30V,ID =150ARDS(ON)

9.1. Size:209K ape
ap60sl150ar.pdf

AP60SL150ARHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

9.2. Size:204K ape
ap60sl150ap.pdf

AP60SL150APHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

9.3. Size:220K ape
ap60sl150ai.pdf

AP60SL150AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: