SL150N03Q - аналоги и даташиты транзистора

 

SL150N03Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SL150N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для SL150N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL150N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  slkor
 sl150n03q.pdf pdf_icon

SL150N03Q

SL150N03QN-Channel Power MOSFET General Features VDS =30V,ID =150ARDS(ON)

 9.1. Size:209K  ape
 ap60sl150ar.pdf pdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150ARHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

 9.2. Size:204K  ape
 ap60sl150ap.pdf pdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150APHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

 9.3. Size:220K  ape
 ap60sl150ai.pdf pdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL150A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SL10N65F , SL11N65CK , SL11N65C , SL11N65CF , SL11P06D , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , IRFB3607 , SL17N06D , SL17N06DN1 , SL19N120A , SL21N65CK , SL21N65C , SL21N65CF , SL2300 , SL2301 .

History: PMZ1200UPE | GP2M023A050N | NTD3055-150T4 | SQJA20EP

 

 
Back to Top

 


 
.