SL150N03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL150N03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для SL150N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL150N03Q даташит

 ..1. Size:1148K  slkor
sl150n03q.pdfpdf_icon

SL150N03Q

SL150N03Q N-Channel Power MOSFET General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 9.1. Size:209K  ape
ap60sl150ar.pdfpdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150AR Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60SL150A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 9.2. Size:204K  ape
ap60sl150ap.pdfpdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150AP Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3 20A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60SL150A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 9.3. Size:220K  ape
ap60sl150ai.pdfpdf_icon

SL150N03Q

AP60SL150AI Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.15 Simple Drive Requirement ID3,4 20A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60SL150A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

Другие IGBT... SL10N65F, SL11N65CK, SL11N65C, SL11N65CF, SL11P06D, SL130N04Q, SL13N45F, SL13N50FS, K4145, SL17N06D, SL17N06DN1, SL19N120A, SL21N65CK, SL21N65C, SL21N65CF, SL2300, SL2301