SL21N65C Todos los transistores

 

SL21N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL21N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SL21N65C Datasheet (PDF)

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SL21N65C

SL21N65CN-Channel Super Junction Power MOSFET V 650 V DSFeatures R 180 m DS(ON) MAXNew technology for high voltage device ID 21 A Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant Application Power factor correctionPFC Switched mo

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History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80

 

 
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