SL21N65C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL21N65C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SL21N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL21N65C даташит

 ..1. Size:778K  slkor
 sl21n65c.pdf pdf_icon

SL21N65C

SL21N65C N-Channel Super Junction Power MOSFET V 650 V DS Features R 180 m DS(ON) MAX New technology for high voltage device ID 21 A Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant Application Power factor correction PFC Switched mo

Другие IGBT... SL130N04Q, SL13N45F, SL13N50FS, SL150N03Q, SL17N06D, SL17N06DN1, SL19N120A, SL21N65CK, IRF1010E, SL21N65CF, SL2300, SL2301, SL2301S, SL2302, SL2302S, SL2304, SL2305