SL4N65I Todos los transistores

 

SL4N65I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL4N65I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 157.1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 18 nC

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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SL4N65I Datasheet (PDF)

8.1. sl4n65.pdf Size:2200K _slkor

SL4N65I
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SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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