SL4N65I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SL4N65I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SL4N65I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL4N65I даташит

 ..1. Size:2200K  slkor
 sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf pdf_icon

SL4N65I

SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

 8.1. Size:2200K  slkor
 sl4n65.pdf pdf_icon

SL4N65I

SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

Другие IGBT... SL3409, SL3415, SL3422, SL3N06, SL420NPD, SL42N120A, SL48N08Q, SL4N65F, IRFB31N20D, SL4N65D, SL60N06, SL60N10Q, SL65N10Q, SL75N06Q, SL7N65F, SL7N65C, SL80N10