Справочник MOSFET. SL4N65I

 

SL4N65I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SL4N65I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 157.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 26 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для SL4N65I

 

 

SL4N65I Datasheet (PDF)

8.1. sl4n65.pdf Size:2200K _slkor

SL4N65I
SL4N65I

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ24N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top