SL4N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 144.4 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 18 nC
Tiempo de elevación (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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SL4N65D Datasheet (PDF)
8.1. sl4n65.pdf 
Size:2200K _slkor
SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .
Liste
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