SL4N65D Todos los transistores

 

SL4N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL4N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SL4N65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SL4N65D datasheet

 ..1. Size:2200K  slkor
 sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf pdf_icon

SL4N65D

SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

 8.1. Size:2200K  slkor
 sl4n65.pdf pdf_icon

SL4N65D

SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

Otros transistores... SL3415 , SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , STP65NF06 , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S .

 

 
Back to Top

 


 
.