SL4N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Encapsulados: DPAK
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SL4N65D datasheet
sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf
SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low
sl4n65.pdf
SL4N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 4A I D 650V V DSS 2.6 R V =10V DS(ON) GS 18nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low
Otros transistores... SL3415 , SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , STP65NF06 , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S .
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