SL4N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL4N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 144.4 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V

Carga de la puerta (Qg): 18 nC

Tiempo de subida (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm

Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL4N65D

 

BUY TRANSISTORS

 

SL4N65D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:2200K  slkor
 sl4n65.pdf

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .