SL4N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de SL4N65D MOSFET
SL4N65D Datasheet (PDF)
sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
sl4n65.pdf

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet