Справочник MOSFET. SL4N65D

 

SL4N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL4N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SL4N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL4N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2200K  slkor
 sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf pdf_icon

SL4N65D

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low

 8.1. Size:2200K  slkor
 sl4n65.pdf pdf_icon

SL4N65D

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low

Другие MOSFET... SL3415 , SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , IRFZ48N , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S .

History: SL11N65C | VBA3695

 

 
Back to Top

 


 
.