SL60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL60N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SL60N06 MOSFET
SL60N06 Datasheet (PDF)
sl60n06.pdf

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)
sl60n10q.pdf

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)
Otros transistores... SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , NCEP15T14 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B .
History: BUZ334 | HSU4016 | SWB030R04VT | CJQ4459 | HFS10N60U | IPB80N04S3-04 | AON7462
History: BUZ334 | HSU4016 | SWB030R04VT | CJQ4459 | HFS10N60U | IPB80N04S3-04 | AON7462



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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