SL60N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL60N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de SL60N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SL60N06 datasheet

 ..1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N06

SL60N06 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

 9.1. Size:1214K  slkor
 sl60n10q.pdf pdf_icon

SL60N06

SL60N10Q N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Very low on-resistance RDS(ON) VDS 100V Low Gate Charge ID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... SL3422, SL3N06, SL420NPD, SL42N120A, SL48N08Q, SL4N65F, SL4N65I, SL4N65D, IRF1405, SL60N10Q, SL65N10Q, SL75N06Q, SL7N65F, SL7N65C, SL80N10, SL8205S, 2N06L07B