SL60N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL60N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SL60N06
SL60N06 Datasheet (PDF)
sl60n06.pdf

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)
sl60n10q.pdf

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , NCEP15T14 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B .
History: PSMN040-200W | APT8024B2VFR | IXTQ130N15T
History: PSMN040-200W | APT8024B2VFR | IXTQ130N15T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent