Справочник MOSFET. SL60N06

 

SL60N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N06

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

 9.1. Size:1214K  slkor
 sl60n10q.pdf pdf_icon

SL60N06

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF7478 | STP6N60FI | 2SK3572-Z | AP9770GT-HF | LP4411ET1G | 2SK3899 | DM7N65C

 

 
Back to Top

 


 
.