SL60N10Q Todos los transistores

 

SL60N10Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL60N10Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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SL60N10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  slkor
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SL60N10Q

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Otros transistores... SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , MMIS60R580P , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P .

History: FTK4828 | IRF1018ESLPBF | R6507ENJ | IRF1018ESPBF | TMU2N60AZ | STB11NM60 | R5013ANX

 

 
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