SL60N10Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL60N10Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56.5 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.4 V

Carga de compuerta (Qg): 29 nC

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 305 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0115 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL60N10Q

SL60N10Q Datasheet (PDF)

..1. sl60n10q.pdf Size:1214K _slkor

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

9.1. sl60n06.pdf Size:541K _slkor

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

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