SL60N10Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL60N10Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de SL60N10Q MOSFET
SL60N10Q Datasheet (PDF)
sl60n10q.pdf

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)
sl60n06.pdf

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)
Otros transistores... SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , MMIS60R580P , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P .
History: 2SJ193 | 40673 | IRF615 | WMS175N10HG4 | BUK9Y15-100E | MRF176GV
History: 2SJ193 | 40673 | IRF615 | WMS175N10HG4 | BUK9Y15-100E | MRF176GV



Liste
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MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
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