Справочник MOSFET. SL60N10Q

 

SL60N10Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL60N10Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL60N10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  slkor
 sl60n10q.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STD12NF06L-1 | SQJ460AEP | AOT470 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.