Справочник MOSFET. SL60N10Q

 

SL60N10Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL60N10Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SL60N10Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL60N10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  slkor
 sl60n10q.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Другие MOSFET... SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , MMIS60R580P , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P .

 

 
Back to Top

 


 
.