SL60N10Q - описание и поиск аналогов

 

SL60N10Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL60N10Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SL60N10Q

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL60N10Q даташит

 ..1. Size:1214K  slkor
 sl60n10q.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N10Q N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Very low on-resistance RDS(ON) VDS 100V Low Gate Charge ID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:541K  slkor
 sl60n06.pdf pdf_icon

SL60N10Q

SL60N06 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Другие MOSFET... SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , 7N60 , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.