Справочник MOSFET. SL60N10Q

 

SL60N10Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SL60N10Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 29 nC

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 305 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SL60N10Q

 

 

SL60N10Q Datasheet (PDF)

..1. sl60n10q.pdf Size:1214K _slkor

SL60N10Q
SL60N10Q

SL60N10QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 100V Low Gate ChargeID 60A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

9.1. sl60n06.pdf Size:541K _slkor

SL60N10Q
SL60N10Q

SL60N06N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =60A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ24N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top