SL65N10Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL65N10Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 326 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SL65N10Q datasheet

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SL65N10Q

SL65N10Q N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Very low on-resistance RDS(ON) VDS 100V Low Gate Charge ID 65A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... SL420NPD, SL42N120A, SL48N08Q, SL4N65F, SL4N65I, SL4N65D, SL60N06, SL60N10Q, IRFZ24N, SL75N06Q, SL7N65F, SL7N65C, SL80N10, SL8205S, 2N06L07B, 2N06L07P, 2N06L09B