Аналоги SL65N10Q. Основные параметры
Наименование производителя: SL65N10Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 326 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SL65N10Q
SL65N10Q даташит
sl65n10q.pdf
SL65N10Q N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Very low on-resistance RDS(ON) VDS 100V Low Gate Charge ID 65A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , IRFZ48N , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12 | APG078N07K | APG078N07 | APG070N12G | APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet


