SL80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL80N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 188 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.3 V

Carga de compuerta (Qg): 45 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 605 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , 10N60 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .