SL80N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL80N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220

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SL80N10 datasheet

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SL80N10

SL80N10 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80A RDS(ON)

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SL80N10

SL80N03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GS R ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GS Features High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi

Otros transistores... SL4N65I, SL4N65D, SL60N06, SL60N10Q, SL65N10Q, SL75N06Q, SL7N65F, SL7N65C, IRF9640, SL8205S, 2N06L07B, 2N06L07P, 2N06L09B, 2N06L09P, 2N06L11B, 2N06L11K, 2N06L11P