Справочник MOSFET. SL80N10

 

SL80N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL80N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL80N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1443K  slkor
 sl80n10.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N10N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80ARDS(ON)

 9.1. Size:1465K  slkor
 sl80n03.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N03N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 30V DSI 80A DR ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GSR ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GSFeatures High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS730BC | FTK3439KD | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | KI8810T

 

 
Back to Top

 


 
.