SL80N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SL80N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SL80N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL80N10 даташит

 ..1. Size:1443K  slkor
 sl80n10.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N10 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80A RDS(ON)

 9.1. Size:1465K  slkor
 sl80n03.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GS R ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GS Features High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi

Другие IGBT... SL4N65I, SL4N65D, SL60N06, SL60N10Q, SL65N10Q, SL75N06Q, SL7N65F, SL7N65C, IRF9640, SL8205S, 2N06L07B, 2N06L07P, 2N06L09B, 2N06L09P, 2N06L11B, 2N06L11K, 2N06L11P