SL80N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

SL80N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SL80N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SL80N10

 

SL80N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1443K  slkor
 sl80n10.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N10 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80A RDS(ON)

 9.1. Size:1465K  slkor
 sl80n03.pdf pdf_icon

SL80N10

SL80N03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GS R ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GS Features High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi

Другие MOSFET... SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , IRF9640 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K , 2N06L11P .

 

 
Back to Top

 


 
.