2SK2819 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2819
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de 2SK2819 MOSFET
2SK2819 Datasheet (PDF)
2sk2819.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2819FEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr
Otros transistores... 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K , 2N06L11P , 2SK2799 , 2SK2816 , 2SK2817 , 2SK2818 , IRFZ44N , 2SK2820 , 2SK2821 , 2SK2826 , 2SK2826-S , 2SK2826-ZJ , 2SK2826-Z , 2SK2827-01 , 2SK2830 .
History: 2SK2140 | CMPFJ176 | LSF65R180GT | IPB160N04S4-H1 | FTK1206 | TPB70R950C | AP9974GS-HF
History: 2SK2140 | CMPFJ176 | LSF65R180GT | IPB160N04S4-H1 | FTK1206 | TPB70R950C | AP9974GS-HF



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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