2SK2819 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK2819
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для 2SK2819
2SK2819 Datasheet (PDF)
2sk2819.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2819FEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr
Другие MOSFET... 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K , 2N06L11P , 2SK2799 , 2SK2816 , 2SK2817 , 2SK2818 , IRFZ44N , 2SK2820 , 2SK2821 , 2SK2826 , 2SK2826-S , 2SK2826-ZJ , 2SK2826-Z , 2SK2827-01 , 2SK2830 .
History: WM02P41M | IPC100N04S5-2R8 | NDB608B | IXTM13N80 | IPB65R115CFD7A | MSAEZ50N10A
History: WM02P41M | IPC100N04S5-2R8 | NDB608B | IXTM13N80 | IPB65R115CFD7A | MSAEZ50N10A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630