7409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7409
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 474 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de 7409 MOSFET
7409 Datasheet (PDF)
7409.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 7409PDFN3X3-8L30V P-Channel MOSFET18PRODUCT SUMMARY27VDS-30V36 ID (at VGS=-10V) -32A45 RDS(ON) (at VGS=-10V)
jsm7409b.pdf

JSM7409BPlastic-Encapsulate MOSFETSPDFN3X3-8LDescription The JSM7409B uses advanced trench technology to 18provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation 2736with gate voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A D RDS(ON)
jsm7409.pdf

JSM7409P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8L30V P-Channel MOSFET18PRODUCT SUMMARY27VDS-30V36 ID (at VGS=-10V) -32A45 RDS(ON) (at VGS=-10V)
aon7409.pdf

AON740930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS The AON7409 combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -32Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)
Otros transistores... 15N10 , 15N10B , 3482 , 4420 , 4803A , 6435 , 6764 , 7240 , AO3401 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B .
History: SIHF9540 | IRFI4229PBF | GSM6561 | SIHF820L | PP2H06BK | PSMN5R4-25YLD | IXTK140N20P
History: SIHF9540 | IRFI4229PBF | GSM6561 | SIHF820L | PP2H06BK | PSMN5R4-25YLD | IXTK140N20P



Liste
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