Справочник MOSFET. 7409

 

7409 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 7409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L

 Аналог (замена) для 7409

 

 

7409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1580K  cn tuofeng
 7409.pdf

7409 7409

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 7409PDFN3X3-8L30V P-Channel MOSFET18PRODUCT SUMMARY27VDS-30V36 ID (at VGS=-10V) -32A45 RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.1. Size:1632K  1
 jsm7409b.pdf

7409 7409

JSM7409BPlastic-Encapsulate MOSFETSPDFN3X3-8LDescription The JSM7409B uses advanced trench technology to 18provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation 2736with gate voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A D RDS(ON)

 0.2. Size:1911K  1
 jsm7409.pdf

7409 7409

JSM7409P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8L30V P-Channel MOSFET18PRODUCT SUMMARY27VDS-30V36 ID (at VGS=-10V) -32A45 RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.3. Size:323K  1
 aon7409.pdf

7409 7409

AON740930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS The AON7409 combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -32Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.4. Size:486K  vishay
 si7409adn.pdf

7409 7409

Si7409ADNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 11 TrenchFET Power MOSFET- 30 250.031 at VGS = - 2.5 V - 8.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile VDS Optimized for Load Switch

 0.5. Size:323K  aosemi
 aon7409.pdf

7409 7409

AON740930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS The AON7409 combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -32Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.6. Size:1428K  cn tuofeng
 7409b.pdf

7409

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDPDFN 3x3 Plastic-Encapsulate MOSFETS 7409BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8LDescription The 7409B uses advanced trench technology to provide 18excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate 2736voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top