8810B Todos los transistores

 

8810B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 8810B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de 8810B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

8810B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3320K  cn tuofeng
 8810b.pdf pdf_icon

8810B

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDTSSOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8810B8810BDual N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID TSSOP-8 Max0.015 @ 4.5V20V6.0A0.019 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLICAT

 0.1. Size:392K  elm
 elm18810ba.pdf pdf_icon

8810B

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-SGeneral description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

Otros transistores... 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , IRF830 , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A .

History: IRF8304M | S10H18RN | 2SK2755-01 | MDS1653URH | FDS8638

 

 
Back to Top

 


 
.