8810B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8810B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de 8810B MOSFET
8810B Datasheet (PDF)
8810b.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDTSSOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8810B8810BDual N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID TSSOP-8 Max0.015 @ 4.5V20V6.0A0.019 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLICAT
elm18810ba.pdf

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-SGeneral description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)
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History: SM6F01NSF | FIR5N80FG | BL2N50-A | FQPF4P40 | FDM20R120AN4G | UPA1759G
History: SM6F01NSF | FIR5N80FG | BL2N50-A | FQPF4P40 | FDM20R120AN4G | UPA1759G



Liste
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