8810B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8810B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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8810B datasheet
8810b.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD TSSOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8810B 8810B Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID TSSOP-8 Max 0.015 @ 4.5V 20V 6.0A 0.019 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICAT
elm18810ba.pdf
(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-S General description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)
Otros transistores... 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 7N60 , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A .
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Liste
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