8810B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 8810B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для 8810B
8810B Datasheet (PDF)
8810b.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDTSSOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8810B8810BDual N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID TSSOP-8 Max0.015 @ 4.5V20V6.0A0.019 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLICAT
elm18810ba.pdf
(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-SGeneral description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)
Другие MOSFET... 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 7N60 , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A .
History: RZR020P01 | STW70N65M2
History: RZR020P01 | STW70N65M2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840



