8810B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 8810B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для 8810B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
8810B даташит
8810b.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD TSSOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8810B 8810B Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID TSSOP-8 Max 0.015 @ 4.5V 20V 6.0A 0.019 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICAT
elm18810ba.pdf
(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-S General description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)
Другие MOSFET... 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 7N60 , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A .
History: TK10A50W | IRLL2705PBF | LF2802A | LSD60R099HT | LO4459PT1G | FDC8878 | FTA07N60
History: TK10A50W | IRLL2705PBF | LF2802A | LSD60R099HT | LO4459PT1G | FDC8878 | FTA07N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840


