SLP6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP6N70U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SLP6N70U MOSFET
SLP6N70U Datasheet (PDF)
slp6n70u slf6n70u.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD700V N-Channel MOSFETSLP6N70U/SLF6N70USLP6N70U/SLF6N70UGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.8A, 700V, RDS(on) typ = 1.8@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimi
Otros transistores... 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 , 60N06 , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 .
History: 2SK2865 | NCEP0225F | AM1541CE | HUF76013D3ST | FQPF44N10 | IRFHM830D | OSG60R035TT5ZF
History: 2SK2865 | NCEP0225F | AM1541CE | HUF76013D3ST | FQPF44N10 | IRFHM830D | OSG60R035TT5ZF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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