SLP6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLP6N70U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLP6N70U

SLP6N70U Datasheet (PDF)

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slp6n70u slf6n70u.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD700V N-Channel MOSFETSLP6N70U/SLF6N70USLP6N70U/SLF6N70UGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.8A, 700V, RDS(on) typ = 1.8@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimi

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Liste

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