SLP6N70U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SLP6N70U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SLP6N70U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SLP6N70U даташит
slp6n70u slf6n70u.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD 700V N-Channel MOSFET SLP6N70U/SLF6N70U SLP6N70U/SLF6N70U General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 4.8A, 700V, RDS(on) typ = 1.8 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 16nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimi
Другие MOSFET... 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 , IRLB3034 , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 .
History: TK10A50W | IRLL2705PBF | LF2802A | LSD60R099HT | LO4459PT1G | FDC8878 | FTA07N60
History: TK10A50W | IRLL2705PBF | LF2802A | LSD60R099HT | LO4459PT1G | FDC8878 | FTA07N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904

